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大島 武
放射線と産業, (105), p.12 - 18, 2005/03
炭化ケイ素(SiC)半導体素子の開発の現状を素子作製プロセス技術の観点からレビューした。素子作製プロセス技術としては、おもに高温不純物導入によるn型伝導SiCの形成技術及び水素燃焼酸化と酸化後熱処理の組合せによる界面特性向上技術について解説した。さらに、これらの素子作製プロセスを応用することで立方晶(3C)SiCエピタキシャル基板上に作製した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の優れた電気特性、特に、世界最高チャンネル移動度,酸化膜の耐電圧について紹介した。
井岡 郁夫; 栗木 良郎*; 岩月 仁; 久保 真治; 稲垣 嘉之; 坂場 成昭
no journal, ,
熱化学水素製造法(ISプロセス)用の耐硫酸性ハイブリッド材料の開発を進めている。プラズマ溶射とレーザー処理により表面処理した材料の耐食性を高めるため、表面処理に熱処理を施した。熱処理材の47%沸騰硫酸中での腐食速度は低下し、熱処理が表面処理材の耐食性向上に有効であることを確認した。
